بررسی تکنیکهای کنترل ترانزیستور نگهدارنده در گیتهای دومینو عریض در فناوری مقیاس نانو با word
بررسی تکنیکهای کنترل ترانزیستور نگهدارنده در گیتهای دومینو عریض در فناوری مقیاس نانو با word دارای 13 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد بررسی تکنیکهای کنترل ترانزیستور نگهدارنده در گیتهای دومینو عریض در فناوری مقیاس نانو با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی تکنیکهای کنترل ترانزیستور نگهدارنده در گیتهای دومینو عریض در فناوری مقیاس نانو با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن بررسی تکنیکهای کنترل ترانزیستور نگهدارنده در گیتهای دومینو عریض در فناوری مقیاس نانو با word :
سال انتشار : 1395
نام کنفرانس یا همایش : سومین کنفرانس سراسری توسعه محوری مهندسی عمران ، معماری ، برق و مکانیک ایران
تعداد صفحات : 13
چکیده مقاله:
در این مقاله تکنیکهای مختلف مداری که برای کنترل ترانزیستور نگهدارنده در گیتهای دومینو عریض استفاده می شوند مورد بررسی و مقایسه قرار می گیرند. مدارهای مورد بررسی از لحاظ پارامترهای تاخیر، توان مصرفی، مصونیت در برابر نویز و سطح تراشه مصرفی با یکدیگر مقایسه می شوند. بدین منظور گیتهای دومینو عریض با استفاده از مدارهای مورد مطالعه پیاده سازی شدند تا مشخص شود کدامیک از طرحهای مداری کارایی بهتری دارد.گیتهای عریض با استفاده از نرم افزار HSPICE در تکنولوژی CMOS 16 نانومتر در تاخیر یکسان شبیه سازی شدند. نتایج شبیه سازیها برای گیتهای OR عریض نشان می دهند که تکنیک مداری دومینو سرعت بالا (HSD) نسبت به سایر مدارهای مورد بررسی بهترین عملکرد را دارد.
دانلود این فایل