افزایش میزان جذب سلول خورشیدی لایه نازک سیلیکون آمورف هیدروژنه با استفاده از پوشش ضد بازتابنده کریستال فوتونیک دو بعدی با word
افزایش میزان جذب سلول خورشیدی لایه نازک سیلیکون آمورف هیدروژنه با استفاده از پوشش ضد بازتابنده کریستال فوتونیک دو بعدی با word دارای 8 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد افزایش میزان جذب سلول خورشیدی لایه نازک سیلیکون آمورف هیدروژنه با استفاده از پوشش ضد بازتابنده کریستال فوتونیک دو بعدی با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی افزایش میزان جذب سلول خورشیدی لایه نازک سیلیکون آمورف هیدروژنه با استفاده از پوشش ضد بازتابنده کریستال فوتونیک دو بعدی با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن افزایش میزان جذب سلول خورشیدی لایه نازک سیلیکون آمورف هیدروژنه با استفاده از پوشش ضد بازتابنده کریستال فوتونیک دو بعدی با word :
نام کنفرانس یا همایش : اولین کنگره ملی طراحی نوین مهندسی با رویکرد توسعه پایدار و حفظ محیط زیست
تعداد صفحات : 8
چکیده مقاله:
در این مقاله ما کاهش میزان انعکاس از سطح سلول خورشیدی لایه نازک سیلیکون آمورف هیدروژنه و افزایش جذب در سلول خورشیدی را در بازه nm350 تا nm850 با استفاده از کریستال های فوتونیکی دو بعدی با شبکه مثلثی حفره به عنوان لایه ضد بازتابنده، در مقایسه با سلول های خورشیدی سیلیکون آمورف هیدروژنه با پوشش ضد بازتابنده از جنس اکسید رسانای شفاف، ایندیم تین اکسید (ITO) را ارائه می دهیم. شبیه سازی ها در بازه nm350 تا nm850 با استفاده از شبیه ساز FDTD انجام می شود. در این ساختار از پوشش ضد بازتابنده کریستال فوتونیکی حفره هوا با ساختار مثلثی از جنس ITO استفاده می شود، که باعث کاهش انعکاس 2.9% از سطح سلول خورشیدی و افزایش انتقال نور 4.11% به لایه جاذب، نسبت به لایه ضد بازتابنده غیر کریستال فوتونیکی می شوند