مقاله محاسبه تحرک پذیری الکترونها در ساختارهای 4HدرSiCو 6HدرSiC با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر در حضور میدان
مقاله محاسبه تحرک پذیری الکترونها در ساختارهای 4HدرSiCو 6HدرSiC با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر در حضور میدانهای الکتریکی ضعیف با word دارای 4 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله محاسبه تحرک پذیری الکترونها در ساختارهای 4HدرSiCو 6HدرSiC با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر در حضور میدانهای الکتریکی ضعیف با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله محاسبه تحرک پذیری الکترونها در ساختارهای 4HدرSiCو 6HدرSiC با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر در حضور میدانهای الکتریکی ضعیف با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله محاسبه تحرک پذیری الکترونها در ساختارهای 4HدرSiCو 6HدرSiC با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر در حضور میدانهای الکتریکی ضعیف با word :
سال انتشار: 1388
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1388
تعداد صفحات: 4
چکیده:
در این مقاله وابستگی تحرک پذیری الکترونها به دما و چگالی اتمهای ناخالصی در ساختارهای 4H-SiCو 6H-SiC با حل معادله ترابردی بولتزمن به روش برگشت پذیر محاسبه شده است. در این محاسبه مکانیسمهای پراکندگی یعنی؛ پراکندگی از فونونهای اپتیکی قطبی، فونونهای آکوستیکی (پراکندگی از اثر پیزو الکتریک و پتانسیل تغییر شکل شبکه) و پراکندگی از اتمهای ناخالصی یونیده لحاظ شده است. با افزایش دما از 100 تا 500 درجه کلوین تحرک پذیری الکترونها به طور یکنواخت کاهش می یابد. در دماهای پایینتر با افزایش چگالی اتمهای ناخالصی تحرک پذیری الکترونها افزایش قابل توجه ای می یابد. نتایج بدست آمده از این روش با داده های تجربی در توافق خوبی است.