مقاله An ultra low power noise shaping SAR ADC in 90 nm CMOS technology با word

مقاله An ultra low power noise shaping SAR ADC in 90 nm CMOS technology با word دارای 3 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله An ultra low power noise shaping SAR ADC in 90 nm CMOS technology با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله An ultra low power noise shaping SAR ADC in 90 nm CMOS technology با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

---

بخشی از متن مقاله An ultra low power noise shaping SAR ADC in 90 nm CMOS technology با word :

سال انتشار: 1393
محل انتشار: پنجمین کنگره بین المللی نانو و فناوری نانو (ICNN2014)
تعداد صفحات: 3
چکیده:

This paper presents an ultra-low-power successive approximation register (SAR) analogue-to-digitalconverter (ADC) with a new noise shaping technique. The operation of the proposed structure is similar to the firstorder modulator except for its quantizer that is realized by a SAR ADC. Also, it has a simple loop filter topology sothat only a Finite Impulse Response (FIR) filter is used to provide the first-order noise shaping. Due to the highresolution quantizer as well as the small load capacitor, the need for high output swing, fast-settling and high gainOperational Transconductance Amplifier (OTA) for the FIR filter is obviated.The ADC is designed and simulated in 90nm CMOS technology with Spectre simulator. Simulation results shows that the average power consumption of theADC is less than 4.6 W for a 0.5 V power supply.