مقاله Energy levels of GaN Quantum Dots in Finite spin orbit coupling با word

مقاله Energy levels of GaN Quantum Dots in Finite spin orbit coupling با word دارای 2 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله Energy levels of GaN Quantum Dots in Finite spin orbit coupling با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله Energy levels of GaN Quantum Dots in Finite spin orbit coupling با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

---

بخشی از متن مقاله Energy levels of GaN Quantum Dots in Finite spin orbit coupling با word :

سال انتشار: 1387

محل انتشار: دومین کنگره بین المللی علوم و فناوری نانو

تعداد صفحات: 2

چکیده:

The energy levels of Nitride based III-V quantum Dots have been investigated theoretically using k.p theory. The nitride based QDs have significantly different properties compared to II-VI based QDs and also other III-V based QDs such as InP. III-V based nitride can have both zinc-blende and wurtzite crystal structures whereas GaAs and other VIII and QDVIIIs exist only in the zinc-blende structure. In this article the hole energy levels and eigenfunctions in spherical GaN quantum dots have been calculated as function of dot radius R for zincblende structure for both zero spin orbit coupling (SOC) and finite SOC. Then on the basis of the zero SOC limit and strong SOC limit and selection rule the hole quantum energy levels are obtained. Our results shows that nitride based VIIIquantum Dots such as GaN, InN, AlN because of having the same ,splits to the same levels and in the finite SOC, splits to , to . 1S2/12/3,SS1

دانلود این فایل